ゲート接続を備えた半導体スイッチング・デバイス

Abstract

The present invention provides a semiconductor switching device comprising a substrate having deposited thereon a cathode, an anode and a gate of the semiconductor switching device, and a connection means for electrically connecting the cathode in the gate of the semiconductor switching device to an external circuit unit. The connection means comprises a cathode-gate connection unit having a coaxial structure including a gate conductor and a cathode conductor for electrically connecting the cathode and the gate of the semiconductor switching device to the external circuit unit.
同軸ゲート接続を備えた半導体スイッチング・デバイス:本発明は、半導体スイッチング・デバイスのカソード、アノード及びゲートがその上に堆積された基板、及び、半導体スイッチング・デバイスのゲートの中のカソードを外部回路ユニットに電気的に接続するための接続手段、を有する半導体スイッチング・デバイスを提供する。前記接続手段は、半導体スイッチング・デバイスのカソード及びゲートを外部回路ユニットに電気的に接続するための、ゲート・コンダクタ及びカソード・コンダクタを含む同軸構造を有するカソード・ゲート接続ユニットを有している。 【選択図】図5

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