化学気相成長用原料及びこれを用いたケイ素含有薄膜形成方法

Raw material for chemical vapor deposition and method for depositing silicon-containing thin film using the same

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a raw material for chemical vapor deposition which is efficiently convertible into an excellent silicon-containing thin film, and a method for depositing the silicon-containing thin film by a chemical vapor deposition method using the raw material for chemical vapor deposition. SOLUTION: The raw material for chemical vapor deposition contains tri-isocyanate silane (HSi(NCO) 3 ). The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
【課題】効率よく、良質なケイ素含有薄膜に転化できる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いて、化学気相成長法により、ケイ素含有薄膜を形成する方法を提供すること。 【解決手段】トリイソシアネートシラン(HSi(NCO) 3 )を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にALD法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 【選択図】なし

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